:quality(100))
imagem ilustrativa
Desenvolvimento de transistor de efeito de campo com porta estendida (egfet) para quantificação da massa de fósforo removida de
Sergio Henrique Fernandes
Salvar edição
Compartilhar
- Editora: Dialetica
- Ano: 2024
- ISBN: 9786527014010
- Desenvolvimento de transistor de efeito de campo com porta estendida (egfet) para quantificação da massa de fósforo removida de
Descrição: livro novo nunca manuseado Este trabalho é o resultado da pesquisa sobre o transistor de efeito de campo com porta ... Veja mais